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技术文章
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Optris对电池软包密封质量检查
2025-07-14
精密焊接可实现锂离子软包电池的最佳性能袋式电池的焊接是锂离子电池制造过程中的关键步骤。袋式电池因其灵活轻便的设计而受到青睐，由多层电极和隔膜组成，包裹在柔性铝箔中。焊接过程确保电池的密封性，这对于电池的安全性和使用寿命至关重要。首先，将电池放置在专门的夹具中，该夹具精确对齐箔层。然后使用热焊接或超声波焊接密封铝箔的开口边缘。在热焊接中，箔被加热到特定温度，使材料熔合。在超声波焊接中，高频声波会搅动箔的分子，形成牢固的结合。控制焊接参数（例如温度、压力和时间）对于确保均匀可靠的...
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Optris对热电池的非接触式红外测量
2025-07-14
利用高效热电池开发可再生能源，为工业供热和发电固态热电池，也称为热电池，可将间歇性电能（通常来自可再生能源或工业废热）储存为热能，并持续很长时间。它们提供可持续的热量和电力，以满足大型工业运营的需要。这些热电池使用固体材料将高温热能储存在绝缘模块中，用于高能量存储应用。玻璃渣、钢渣、混凝土、硅和石墨烯等材料因其高温、高能量密度的存储能力而被利用。虽然不同的公司采用略有不同的方法来产生和储存热量，但基本原理保持一致：可再生能源（如风能和太阳能）是成本效益高的材料，然后对其进行绝...
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Optris关于太阳能电池组件的非侵入式缺陷检测
2025-07-14
通过快速非侵入式早期缺陷检测优化太阳能电池组件性能和寿命为了实现可持续和可靠的太阳能发电，延长光伏(PV)模块的使用寿命并降低成本在商业上至关重要。光伏模块产生的每单位能量成本受安装现场的平均太阳辐照度、模块的使用寿命及其购买价格的影响。此外，光伏模块在生产、安装后和运行阶段的质量控制不完善也会产生大量成本。在生产过程中，一些有缺陷的光伏模块可能未被发现并被部署，导致运行过程中的性能下降和安全隐患。检测有缺陷的太阳能模块的传统方法，例如在阳光下进行单个或串级电流-电压(I-V...
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Optris 在太阳能电池闪光测试中的运用
2025-07-14
温度对太阳能电池性能和太阳闪光测试的影响根据国际电工委员会(IEC)61215标准，太阳能闪光测试或太阳模拟器测试是制造商在制造后测量太阳能电池组件输出性能的标准程序。这些质量测试可确保每个光伏(PV)模块符合质量标准并有效运行。带有光的阳光测试系统的缺点是它们在测试过程中会在光下加热太阳能电池样品，从而改变测量的环境条件（主要是温度）。脉冲太阳能模拟器的主要优点是测试样品的温度不会升高。太阳能闪光测试模拟阳光，以在标准条件下测量太阳能电池的电气特性。通过验证性能，只有符合质...
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Optris太阳能电池生产中的弱分流器识别
2025-07-11
通过检测和消除硅太阳能电池中的分流来提高效率硅太阳能电池在工作原理方面是光电二极管。它们通常由厚度很薄的p掺杂和n掺杂晶片粘合而成。由此产生的p-n结被一层氮化硅层覆盖，该层在n侧充当抗反射涂层。收集太阳能电池电流的触点由正面的银线网格和背面的全面积铝触点制成。为了避免太阳能电池中因工艺引起的短路，必须通过激光或化学蚀刻隔离其边缘。由于太阳能电池加工过程中出现的裂纹和划痕而导致p-n结以及边缘的任何破坏都可能导致故障。许多这些缺陷会导致不必要的漏电流。这些类型的故障称为工艺引...
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Optris晶圆快速热退火方法
2025-07-11
用于消除应力的快速热退火需要红外高温监测热退火是一种重要的半导体制造方法，它涉及将晶圆加热到高温以改变其电气性能并减轻硅中的应力。快速热处理是该方法的关键部分，有助于实现掺杂剂激活和晶体修复而不会产生显著扩散，从而提高工艺效率。传统上，热退火工艺通常在惰性环境中使用传统的电阻加热管炉进行。退火工艺的正常温度范围在900°C至1100°C之间。对于多晶硅退火，下限扩展到约700°C。用于掺杂剂激活和晶体损伤修复的炉退火工艺可能需要在900°C下进行30分钟。快速热退火(RTA)...
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Optris物理气相沉积新方案
2025-07-11
温度在物理气相沉积过程中的关键作用物理气相沉积（PVD）或物理气相传输（PVT）是在金属、陶瓷、玻璃和聚合物等基材上用真空沉积方法生产薄膜和涂层的技术。这种技术对于制造具有光学、机械、电气或化学功能的薄膜至关重要，尤其是在光电二极管和滤波器等半导体领域。PVD涉及材料从凝结相到气相的转变，然后再回到薄膜凝结相，溅射和蒸发是最常见的PVD过程。热蒸发是一种将涂层材料气化并转化为气体的工艺，在相对较低的工艺温度下，涂层材料进入反应室并凝结在基底材料表面。溅射PVD工艺首先将涂层材...
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Optris多晶硅生长过程红外温度测量解决方案
2025-07-11
温度控制在西门子硅工艺中的关键作用纯多晶硅是制造集成电路和太阳能电池常用的材料。多晶硅的生产基于化学气相沉积工艺，即所谓的西门子工艺。尽管这种工艺相对昂贵且速度较慢，但由于它能够生产高纯度的多晶硅，因此仍然是全球生产高质量多晶硅的主要方法，全球约75%的多晶硅生产依赖于这种技术。主要由中国的低成本工厂推动的成本下降使这一工艺在经济上更加可行。西门子工艺以冶金级硅为原料，其中含有约0.5%至1.5%的杂质。为了提纯这种硅，需要将其研磨成小颗粒，并与氯化氢反应生成三氯硅烷（TCS...
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